DRAM 64k x 4: Difference between revisions
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|Fujitsu || MB || 81464 || DIP18 LCC18 ZIP20 ||TS || MB81464 | |||
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|Samsung || KM || 41464 || DIP18 LCC18 ZIP20 || || KM41C464 KM41464A | |||
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|Toshiba || TC || 51466 || DIP18 || || TC51466 | |||
|- | |||
|Zentrum Mikroelektronik || UD || 61464 || DIP18 || TS || UD61464 | |||
|- | |||
|Note: | |||
*464= Page mode | |||
*466= Static column mode | |||
|| || || || || | |||
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'''Dynamic Random-Access Memory 64K x 4 (DIP18, 300mil)(DIP24, 400mil)(LCC18, 330mil)(ZIP20, 100mil)(ZIP24, 100mil)''' | |||
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+---\/---+ | |||
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*WE | 7 18| *CAS | |||
*RAS | 8 17| A0 | |||
A6 | 9 16| A1 | |||
A5 |10 15| A2 | |||
A4 |11 14| A3 | |||
Vcc |12 13| A7 | |||
+--------+ | |||
LCC18 | |||
+---------------------------------------------------------------+ | |||
| 3 DO2 | 8 A4 | 12 A2 | 17 D04 | | |||
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+---------------------------------------------------------------+ | |||
ZIP20 | |||
^ | |||
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| 4 Vss | |||
*OE 5 | | |||
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DO2 7 | | |||
| 8 *WE | |||
*RAS 9 | | |||
| 10 NC | |||
NC 11 | | |||
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A5 13 | | |||
| 14 A4 | |||
Vcc 15 | | |||
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A1 19 | | |||
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- | |||
ZIP24 | |||
^ | |||
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*SE 3 | | |||
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| 20 A3 | |||
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| 24 *CAS | |||
- | |||
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[http://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory DRAM page on wikipedia] | |||
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Latest revision as of 08:59, 20 February 2024
BRAND | TAG | NUMBER | PIN COUNT | OUTPUT | MARKINGS |
---|---|---|---|---|---|
Fujitsu | MB | 81464 | DIP18 LCC18 ZIP20 | TS | MB81464 |
Fujitsu | MB | 81466 | DIP18 | MB81466 | |
Hitachi | HM | 50464 | DIP18 | HM50464 | |
Hitachi | HM | 53461 | DIP24 ZIP24 | HM53461P HM53461ZP | |
Matsushita | MN | 41464 | DIP18 | MN41464 | |
Mitsubishi | M5M | 4464 | DIP18 | M5M4464 | |
Mitsubishi | M5M | 4C264 | ZIP24 | M5M4C264 M5M4C264L | |
NEC | uPD | 41464 | DIP18 | uPD41464 D41464 D41464C | |
OKI | MSM | 41464 | DIP18 | MSM41464 | |
Samsung | KM | 41464 | DIP18 LCC18 ZIP20 | KM41C464 KM41464A | |
Samsung | KM | 41466 | DIP18 | KM41C466 | |
Sharp | LH | 2464 | DIP18 | LH2464 | |
Texas Instruments | TMS | 4464 | DIP18 | TMS4464 | |
Toshiba | TC | 51464 | DIP18 | TC51464 | |
Toshiba | TC | 51466 | DIP18 | TC51466 | |
Zentrum Mikroelektronik | UD | 61464 | DIP18 | TS | UD61464 |
Note:
|
Dynamic Random-Access Memory 64K x 4 (DIP18, 300mil)(DIP24, 400mil)(LCC18, 330mil)(ZIP20, 100mil)(ZIP24, 100mil)
Size
bit | Byte (padded 0000xxxx) | Byte (unpadded) | Hex |
---|---|---|---|
256Kb | 64KB | 32KB | 40000hex |
Pinout
DIP18 +---\/---+ *OE | 1 18| Vss DO1 | 2 17| D04 DO2 | 3 16| *CAS *WE | 4 15| DO3 *RAS | 5 14| A0 A6 | 6 13| A1 A5 | 7 12| A2 A4 | 8 11| A3 Vcc | 9 10| A7 +--------+ DIP24 +---\/---+ SC | 1 24| Vss SI/O1 | 2 23| SI/O4 SI/O2 | 3 22| SI/O3 *DT/*OE | 4 21| *SEO I/O1 | 5 20| I/O4 I/O2 | 6 19| I/O3 *WE | 7 18| *CAS *RAS | 8 17| A0 A6 | 9 16| A1 A5 |10 15| A2 A4 |11 14| A3 Vcc |12 13| A7 +--------+ LCC18 +---------------------------------------------------------------+ | 3 DO2 | 8 A4 | 12 A2 | 17 D04 | | 4 *WE | 9 Vcc | 13 A1 | 18 Vss | | 5 *RAS | 10 A7 | 14 A0 | 1 *OE | | 6 A6 | 11 A3 | 15 DO3 | 2 DO1 | | 7 A5 | | 16 *CAS | | +---------------------------------------------------------------+ ZIP20 ^ DO3 1 | | 2 *CAS DO4 3 | | 4 Vss *OE 5 | | 6 DO1 DO2 7 | | 8 *WE *RAS 9 | | 10 NC NC 11 | | 12 A6 A5 13 | | 14 A4 Vcc 15 | | 16 A7 A3 17 | | 18 A2 A1 19 | | 20 A0 - ZIP24 ^ W2/IO2 1 | | 2 W3/IO3 *SE 3 | | 4 SIO2 SIO3 5 | | 6 Vss SC 7 | | 8 SIO0 SIO1 9 | | 10 *DT/*OE W0/IO0 11 | | 12 W1/IO1 *WB/WE 13 | | 14 *RAS A6 15 | | 16 A5 A4 17 | | 18 Vcc A7 19 | | 20 A3 A4 21 | | 22 A1 A7 23 | | 24 *CAS -
External links
Files
-
HM53461 Datasheet
-
KM41464A Datasheet
-
M5M4C264 Datasheet
-
MB81464 Datasheet
-
UD61464 Datasheet